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Samsung、HPC向けにGAA構造を採用した3nmプロセスでの初期生産を開始

プレーナーFET、FinFETを経てGAAFETにいたるトランジスタ構造の変遷。今回初期生産を始めた、ナノシート採用による幅広チャンネルのGAAFET(Samsung用語ではMBCFET)が右上に示されている (出所:Samsung Newsroom)

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