東北大など、低温で磁化を完全消失する反強磁性的ハーフメタルの開発に成功

(左)反強磁性ハーフメタルを用いたTMR素子の模式図。(右)現行のTMR素子の模式図。強磁性層と反強磁性層を含む数種の層により、強磁性層の磁気モーメントの向きをピン止めする役割を備えている。この数種の層が1層の反強磁性的ハーフメタルに置き換わることで、高い特性と低い漏れ磁場が実現され、高密度化を可能にするという (出所:東北大プレスリリースPDF)