理研など、架橋CNTに発光体「量子欠陥」を導入する手法を開発

反応後の架橋CNTの走査電子顕微鏡像と発光イメージ。(a)反応後の架橋CNTの走査電子顕微鏡像。黒く見える部分がSi基盤の溝で、白い糸のように見えるのがCNT。矢印で示されている位置に架橋されている。スケールバーの長さは1μm。(b)E₁₁ピークの強度がプロットされた発光イメージ。スケールバーの長さは1μm。点線は溝の両端が示されている (出所:理研Webサイト)