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産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発

(左)(a)準大気圧プラズマ源が統合された原料ガス導入ユニットの模式図。(b)窒素ガスプラズマ点灯の様子。(右)(a)成長したInN結晶のX線回折ロッキングカーブ。(b)同じく室温フォトルミネッセンススペクトル (Applied Materials Today誌に掲載された図面(クリエイティブ・コモンズ・ライセンス(表示4.0国際)が和文に編集されたもの) (出所:産総研Webサイト)

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