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産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発

(左)プラズマ源とインジウム原料ガス供給ラインを統合した原料ガス導入ユニットの模式図。(右)InN薄膜結晶の透過電子顕微鏡像。図中の矢印は表面付近の転位が示されている (出所:産総研Webサイト)

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