お知らせ: 酷似サイトにご注意ください

らせん状のキラル分子は熱によって磁化が大きくなる磁石だった、理研などが確認

金属ベース磁気抵抗デバイスとキラル分子誘起磁気抵抗デバイス。(a)磁化(M)が反平行配置の場合(左)、平行配置(右)よりも試料の電気抵抗が高くなる。(b)キラル分子(コイル)中にスピン偏極が生成した場合、磁場により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果が発現する (出所:東大物性研Webサイト)

12

記事ページに戻る

編集部が選ぶ関連記事

アクセスランキング

ランキングをもっと見る

もっと見る

このカテゴリーについて

企業のＲ＆Ｄ部門が開発した新技術の紹介や、宇宙、生命工学、物理学などのマニアックな科学系読み物を中心に構成。話題の科学者へのインタビューなども。