東工大、SOT-MRAMでSRAMと並ぶ約200psの超高速磁化反転の可能性を証明

(a)超高速磁化反転を実証するための膜構造。(b)今回作製された素子。(c～f)パルス幅1～4nsのパルスナノ秒電流を掃引したときの磁化反転。(g)3nsの正負のパルス電流(1.3×10⁷A/cm²)をBiSbに連続的に印加したときの磁化反転。(h)1nsから1msまで、さまざまなパルス電流を印加したときの磁化反転に必要なしきい値電流密度 (出所:東工大プレスリリースPDF)

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