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(左)Ni錯体(1)とPd錯体(2)のヘテロ構造の顕微鏡画像。(中央)同じく走査型トンネル顕微鏡像。(右)走査型トンネル顕微鏡像の矢印の位置の強度プロファイルが表されたグラフ。1の領域(上段)は5Å間隔のモット・ハバード(MH)状態、2の領域(中段)は10Å間隔の電荷密度波(CDW)状態が示されている。ヘテロ接合の領域(下段)では、MHとCDWから変調した状態がおよそ2.5nmに渡って観測された (出所:東北大プレスリリースPDF)
インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。
Samsungが半導体事業の本拠地を平澤に移転か？ 韓国メディア報道
