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阪大、光子-スピン量子インタフェースで変換効率が3倍の量子ドットを開発

(左)(110)面上のGaAs2重量子ドットにおける2つのドット中電子数が、ゲート電圧で1つずつ変化する様子が表された電荷状態安定図。カッコの中のMやNは電子数が表されている。(右)2電子領域のスピン依存電流の磁場依存性。ゼロ磁場付近では核スピンとの相互作用による電流が観測され、その解析から電子スピンのg因子が0.1であることが明らかにされた (出所:阪大Webサイト)

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