東大、SiC基板上のグラフェンにCa原子を蒸着させると超伝導が起きることを発見

(a)Ca原子挿入の過程における原子構造変化の模式図(横から見た断面図)。左端が始状態であるSiC基板上の1層グラフェン。そこへCaが挿入されると2層グラフェンに変化し、その2層グラフェンの層間にCa原子が挿入されることで、「Ca挿入超伝導2層グラフェン」が得られる。(b・c)超伝導Ca挿入2層グラフェンの2次元抵抗率(シート抵抗)の各面直磁場下における温度依存性、および各温度における面直磁場依存性。磁場をかけたり、温度を上げるほど超伝導が壊れることが系統的に示されている (出所:東大Webサイト)