次世代メモリ開発の加速に向けSOT方式に適した新材料を東工大などが開発

(a)V族、VI族に基づいた従来型のトポロジカル絶縁体の結晶構造(左)とそのエネルギーバンド構造(右)。(b)HHA-TSMの結晶構造(左)とそのエネルギーバンド構造(右)。(c)スパッタリング法で製膜されたYPtBi膜におけるBi組成比の成膜温度依存性。YPtBi膜と磁性体CoPt膜のヘテロ接合膜での、磁化反転の実験における、(d)パルス電流印加シーケンス、および(e)それに対応する磁化反転の結果。青の点は電流に対して平行に0.5kOeの外部磁場を印加した際の、赤の点は反平行に0.5kOeの外部磁場を印加した際の磁化反転の結果に対応している (出所:東工大プレスリリースPDF)

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