お知らせ: 酷似サイトにご注意ください

高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功

(a)作製されたダイヤモンドFETおよび先行研究の正孔移動度と正孔面密度。図中の抵抗値は、チャネルのシート抵抗。(b)作製されたダイヤモンドFETおよび先行研究のオン電流密度とオン・オフ比。オン電流は、(チャネル長)/(チャネル幅)で規格化した値が示されている。GaNおよびSiCのpチャネルFETの結果も示されている (出所:NIMSプレスリリースPDF)

34

記事ページに戻る

編集部が選ぶ関連記事

アクセスランキング

ランキングをもっと見る

もっと見る

このカテゴリーについて

インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。