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高い正孔移動度などを実現したダイヤモンドFET、NIMSなどが作製に成功

(a)今回の研究で作製されたダイヤモンドFETの構造。正孔の密度と移動度を正確に評価するために、ゲート電圧をかけながらホール効果の測定が可能な構造が採用された。(b)ダイヤモンド表面を水素プラズマに晒して水素終端化したあと、大気に晒さずArで満たされたグローブボックスに搬入し、その中で劈開した六方晶窒化ホウ素単結晶薄片を貼り付けることで、アクセプタとして働く大気由来の吸着物の低減がなされた (出所:NIMSプレスリリースPDF)

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