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imec、ショットキーダイオードと空乏モードHEMTのGaN ICへの集積に成功

200mm GaN-on-SOI基板上に製造された高電圧コンポーネントの断面図。(a)eモードMIS-HEMT、(b)dモードMIS-HEMT、(c)ショットキーバリアダイオード。すべてのデバイスは、誘電体層で分離されたフロントエンドおよび相互接続金属層に基づく金属フィールドプレートが含まれる (出所:imec)

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