(左上)2インチウェハに作製されたアンペア級・1200V耐圧の酸化ガリウムショットキーバリアダイオード。(右上)β-Ga2O3トレンチ型SBDの断面構造図、光学顕微鏡画像。(下)β-Ga2O3トレンチ型SBDの電流-電圧特性。(a)順方向電流-電圧特性。(b)逆方向電流-電圧特性 (出所:ノベルクリスタルテクノロジーWebサイト)
Samsungが半導体事業の本拠地を平澤に移転か? 韓国メディア報道
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インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。