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NTTなど、グラフェン量子ホール状態におけるスピン波の強度の検出に成功

(左)電子密度を変えたときの干渉強度の変化。電子密度を下げると、干渉強度が変化し始める電圧が減少している。これはスピン波のエネルギーが減少していることに対応。(中央)測定に用いた試料の顕微鏡画像。六方晶窒化ホウ素(hBN)に挟まれたグラフェンに多数の金属電極が取り付けられている。(右)試料の断面図。グラフェン、hBN、金属電極が積層された構造となっている (出所:NTT Webサイト)

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