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(ア)フォトリソグラフィ直後および異なる温度による熱処理後のITZO薄膜に関する熱脱離分析結果。フォトリソグラフィ直後のITZO TFT(イ)、フォトリソグラフィ後に300℃で熱処理されたITZO TFT(ウ)、400℃で熱処理されたITZO TFT(エ)それぞれのNBTS試験結果 (出所:東工大プレスリリースPDF)

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