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東工大、LTPSに匹敵する性能と安定性を備えたアモルファス酸化物TFTを開発

(ア)不安定性問題究明のために今回作成された二層構造TFT。(イ)二層構造TFTのゲート電圧-電界効果移動度の関係。ゲート絶縁膜電荷トラップモデル(ウ)と活性層のフェルミレベルシフトモデル(エ)における、デバイスシミュレーションによるゲート電圧-電界効果移動度の関係 (出所:東工大プレスリリースPDF)

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