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東工大など、「スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ」の読み書きの実証に成功

(a)トポロジカル絶縁体とCoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合(MTJ)をを集積した3端子SOT-MRAM素子の模型と(b)実際の素子の画像。(c)スパッタリング法のみで作製したBiSb-MTJ素子におけるトンネル磁気抵抗効果。(d)スピン軌道トルクによる書き込みの実証 (出所:共同プレスリリースPDF)

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