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作製された(Ba,K)Fe2As2薄膜の磁束ピンニング力密度の外部磁場依存性。今回作製された薄膜試料は、単結晶試料(鉛イオン照射なし)に比べてピンニング力密度が高く、高磁場領域では約10倍にもなる。鉛イオン照射された単結晶試料と比べても、4T以下で高いピンニング力密度が得られているとした (出所:共同プレスリリースPDF)

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