東大など、多様なトポロジカル相を持つトポロジカル・ディラック半金属を開発

(左)今回作製されたα-Sn薄膜の透過型電子顕微鏡による結晶格子像。完璧なまでのダイヤモンド型単結晶構造と原子層レベルで平坦な界面が得られたことがわかる。(右)作製されたα-Sn薄膜において、膜面に垂直方向に磁場を印加し電気伝導度を測定すると明瞭なシュブニコフ・ド・ハース振動が低磁場領域から観測された。量子移動度が先行研究に比べて10倍ほど高く、高品質のα-Snが得られたことが明らかとなった (出所:東大プレスリリースPDF)