GaNウェハのキャリア濃度と移動度の非接触・非破壊評価に阪大が成功

テラヘルツエリプソメトリによる半導体評価のイメージ。斜入射の直線偏光のテラヘルツパルスが半導体によって、異なる偏光成分がそれぞれ違うように反射され、楕円偏光になっている様子が表されている。このリファレンスを必要としないテラヘルツ波を用いた非破壊の手法により、高キャリア濃度の半導体評価が可能となった (出所:阪大Webサイト)

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