東大など、有機半導体で「絶縁体-金属転移」を実験的に観測することに成功

(左)各ゲート電圧V_Gにおけるシート抵抗Rsheetの温度T依存性。「nHall, 180K」はキャリア密度が表されている。黒の破線は量子化抵抗h/e²(～25.8kΩ)が表されている。(右上)作製されたデバイスの顕微鏡像。(右下)C8-DNBDT数分子に渡り、電子が二次元分子面に広がっている状態のイメージ。複数のサンプル(Sample1、Sample2)において、高密度に電荷を注入することで絶縁体-金属転移が実証された。Sample2において、最小のシート抵抗値2kΩが得られたのである (出所:共同プレスリリースPDF)