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(a)製膜時のガス導入により結晶化が阻害された際のITOの応力変化。挿入図はITOのX線回折スペクトル。結晶化が阻害されたITOでは、2θ=30°付近のピークが消失しており、非晶質化していることが確認された。(b)今回作製された透明有機デバイスの構造。有機薄膜としては電界発光機能を有するトリス-(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウムとN,N’-ビス(1-ナフチル)-N,N’-ジフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンの積層膜が使用された。(c)作製された透明有機電界発光デバイスの断面の電子顕微鏡写真。(d)透明有機デバイスの電流密度-電圧特性。(e)同じく同デバイスの発光量-電圧特性 (出所:産総研Webサイト)

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