(左)NVセンタを内包する横型ダイヤモンドp-i-nダイオードの模式図。レーザーを走査しながら電気的信号が検出され、それによって拡散長が評価された。(中央)電気的に検出されたNVセンタからの光電流。正の電圧はダイオードに対して逆バイアスが表されている。レーザーパワーを0~10mWまで変えたときの結果。(右)PDMRスペクトル。信号の谷がスピン状態の共鳴点であり、外部磁場による分裂は磁場センサとして機能することが示されている (出所:産総研Webサイト)
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インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。