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理研、3つの量子ビットの制御および量子もつれ状態の生成に成功

今回の研究で用いられたシリコン量子ドット試料の電子顕微鏡画像。3つのゲート電極(P1、P2、P3)の直下に、3つの量子ドットを形成することが可能となっている。赤、緑、青の丸は量子ドット中の電子が示されている (出所:理研Webサイト)

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