東北大、1桁nm世代のプロセスデザインルールに適合するQuad-MTJを開発

(a)今回の研究で開発された新設計のQuad-MTJ素子と従来型のDouble-MTJ素子における熱安定性指数Δ(データ保持時間を決定するデバイス特性値)の比較。(b)新設計のQuad-MTJ素子と従来型のDouble-MTJ素子の書き換え回数。新技術の高い書き換え耐性により、10¹¹(1000億)以上の書き換え回数を達成することに成功した。(c)記録層1・2に用いられた新強磁性材料の磁気摩擦定数。Single-MTJ素子、Double-MTJ素子、Quad-MTJ素子の順番に磁気摩擦定数が低下しており、低消費電力化および高い書き換え耐性が実現されている (出所:東北大プレスリリースPDF)