東北大、1桁nm世代のプロセスデザインルールに適合するQuad-MTJを開発

今回の研究で開発された新設計のQuad-MTJ素子の構造面における3つの革新的技術。4重界面に加えて、(1)新低ダメージ技術により低い接合抵抗のMgO障壁層、(2)磁石(記録層1と記録層2)に磁気摩擦定数の小さい新材料、(3)1桁nm世代以降での磁気的安定性を補償する新参照層が用いられた。この3つの技術により、低消費電力化および高速の書き換え耐久性の向上が実現された (出所:東北大プレスリリースPDF)