東大など、トポロジカル絶縁体を用いたスピン流のON/OFF制御の仕組みを開発

(上)TaSe₃は、鎖状の構造が積み重なって形成されるため、擬一次元的な結晶構造と電気伝導を示す。(左下)外から歪みを加えない状態のTaSe₃はトポロジカル絶縁体状態となり、結晶の表面にスピン流が生成されることが確認された。(右下)基板に試料を載せ、それをたわませると応力が印加され試料に歪みが生じる。その結果、TaSe₃は通常の絶縁体となりスピン流が消失する。基板をたわませる・たわませないの簡単な操作で、スピン流のON/OFFスイッチングが可能となる (出所:東大Webサイト)