2種類の異なる温度(25℃および150℃)における1200V GaN-on-QSTで測定した垂直順方向リーク電流。1200Vに至るまでリーク電流は、25℃の場合、1μA/mm2以下、150℃の場合、10μA/mm2以下で耐圧は両方の温度とも1800V以上である。これらより、1200V動作のデバイスにGaN-on-QSTが使えることが期待されるという (出所:imec)
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インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。