反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功

ルテニウム/Mn₃Sn/タングステン素子とMn₃Sn/タングステン素子における書き込み・読み出し実験と、読み出し信号のホール電圧の電流依存性、および読み出し信号の増強。(a)ルテニウム/Mn₃Sn/タングステン素子における、室温でのホール電圧の書き込み電流依存性。(b)Mn₃Sn/タングステン素子における、室温でのホール電圧の書き込み電流依存性。ルテニウム/Mn₃Sn/タングステン素子の3倍ほど大きな信号が電気的に制御可能であることが確認された。ホール電圧の測定には、書き込み電流とは別に0.2mAの読み出し電流が加えられている。(c)Mn₃Sn/タングステン素子における読み出し信号(ホール電圧)の読み出し電流依存性。3mA程度の読み出し電流を流すことで、1mVの電圧が素子の温度上昇の影響なく取り出せることが確認された (出所:共同プレスリリースPDF)