反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功

Mn₃Sn/非磁性重金属(タングステン)素子におけるスピン流での磁気八極子の反転と情報の書き込み・読み出し機構の概要図。(a)Mn₃Sn/タングステン素子に電流を流すことで、赤色と青色矢印に偏極したスピン流が生じる。このスピン流により、Mn₃Snの反強磁性秩序(磁気八極子)および仮想磁場が向きを変える。その結果、異常ホール電圧の符号の反転が起こるという。(b)Mn₃Sn/タングステン素子では、書き込み電流の方向によってMn₃Sn層の磁気八極子の方向を制御することで、「0」と「1」の情報を記憶することができる。(c)上記のMn₃Sn層の磁気八極子の方向によって記憶した情報は、読み出し電流を流すことでホール電圧として読み出すことが可能 (出所:共同プレスリリースPDF)