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反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功

Mn₃Snの結晶・磁気構造と異常ホール効果の概要図。(a)反強磁性体Mn₃Snはc軸方向に磁性原子のマンガン(Mn)からなるカゴメ格子が積層した構造を持ち、420K(約150℃)以下で、Mnのスピンが「逆120度構造」と呼ばれる反強磁性秩序を示す。2層のカゴメ格子上のスピンを見ると、六角形で示されているクラスター磁気八極子と呼ばれる6つのスピンからなるユニットが同じ方向にそろっていることがわかる。紫の矢印が示しているのは磁気八極子の方向。(b)Mn₃Snでは、巨大な仮想磁場の効果により、磁化が小さくても強磁性体に匹敵するほど大きな異常ホール効果が現れる (出所:共同プレスリリースPDF)

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