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東大など、磁気メモリ開発を進展させる反強磁性体におけるワイル粒子を発見

(a)反強磁性体Mn₃Geの電気伝導率の磁場変化。磁場Bが電流Iと垂直の場合には、正の磁気抵抗(負の電気伝導率)を示すのに対し、磁場と電流が平行の際に負の磁気抵抗(正の電気伝導率)が現れる。これは磁場と電流が平行の際に、磁場の増加にともなう正負のワイル点間のチャージポンピングにより、電気抵抗の減少が見られるカイラル異常と呼ばれる現象だ。ワイル粒子が生成された際に現れる特異な効果と考えられている。(b)電気伝導度とプラナーホール効果の角度依存性がともに余弦曲線と正弦曲線となることは、カイラル異常の効果を裏付けているという (出所:東大Webサイト)

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