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波動/粒子の二重性、電子の経路情報と干渉の発現の関係を理研などが解明

V字型二重スリットによる干渉実験の様子。下部電子線バイプリズムへの印加電圧が10.0Vから大きくなるに従い、V字型二重スリットの像が下側から重なり始め(b)、25.7Vでは中央部で重なり(c)、31.0Vにおいてスリット上部で重なった後、ふたつのスリット像が入れ替わった(e) (出所:理研Webサイト)

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