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(上)有機半導体単結晶における巨大歪み効果。2%ほどの歪み印加量で抵抗が2倍程度変化する。(下)巨大歪み効果の概略図。単結晶に一様に印加された歪みによって、分子間距離が変化し、分子振動の度合いも変化する。その結果、抵抗値も変化 (出所:産総研Webサイト)

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