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NIMS、5G向け高集積発振器に適用可能なGaN MEMS振動子を開発

両持ち梁型GaN系MEMS振動子の作製フロー。Si基板上のGaN薄膜成長層にスピンコートでフォトレジストを塗布、その後、レーザー描画でマスクを作製し、そこからドライエッチでGaNとAlNを削り取り、化学エッチングでレジストを除去し、Siを離型したという (出所:プレスリリースPDF)

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