お知らせ: 酷似サイトにご注意ください

Micron、176層3D NANDの出荷を開始

フローティングゲートからチャージトラップRG方式への変更。ゲート材料もポリシリコンからメタルに変更、ストレージ部分のSiN膜を採用。チャネル径は同じでもエッチ径が広く取れるのでエッチングしやすくなった (出所:Micron Webサイト)

22

記事ページに戻る

編集部が選ぶ関連記事

アクセスランキング

ランキングをもっと見る

もっと見る

このカテゴリーについて

インテルや東芝といった半導体メーカーや、CPU、メモリなどの半導体デバイスに関わる情報、市場トレンドといったホットなニュースを毎日更新。注目のIoTや自動運転など、半導体の適用範囲の拡大とともに成長が続く半導体業界の話題を詳細な説明付きで紹介します。