「Hyperfluorescence」の発光層は、蛍光材料、TADF材料、ホスト材料で構成されている。TADF材料中では励起子(半導体または絶縁体中で電子と正孔の対がクーロン力によって束縛状態となったもの)の25%が一重項励起状態(S1T)に、75%が三重項励起状態(T1T)となる。TADF材料では、三重項励起状態に入った励起子が一重項励起状態に移動。次に、励起子がTADF材料の一重項励起状態から蛍光材料の一重項励起状態(S1F)に移動して蛍光発光が生じるという仕組み。なお、ホスト材料は発光層内での電子および正孔の輸送性能を決めている (出所:JSTプレスリリースPDF)
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