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JSTと東大生研、半導体デバイスの放熱問題を緩和する第4の放熱機構を確認

窒化シリコン薄膜の熱伝導率。(A)異なる厚さの窒化シリコン薄膜の熱伝導率(点)と理論計算によって得られた表面フォノンポラリトンのみによる熱伝導率(実線)の温度依存性。(B)室温(295K)で規格化された熱伝導率の温度依存性。厚さ100nm(緑点)と200nm(青点)の薄膜は温度の上昇に伴い、フォノン同士の散乱によって熱伝導率が低下。厚さ30nm(黒点)と50nm(赤点)では、逆に熱伝導率が増加。表面フォノンポラリトンによる熱伝導が薄膜では重要な熱伝導の担い手となっている確実な証拠が得られたとした (出所:JSTプレスリリースPDF)

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