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SiC中の電気特性分布を3μmの空間分解能で測定できる装置を名工大が開発

今回開発された観測装置の概念図。1nsパルスで発振する波長355nmのレーザーと、波長405nmの連続波レーザーとを、開口数0.65を有する対物レンズを通してSiCサンプルに照射し、サンプルを透過してくる405nmの光の強度を読み取り、電子と正孔の消える速さを測定する (出所:名古屋工業大学大学Webサイト)

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