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東大、発熱を抑えて次世代磁気記憶素子スキルミオンの生成に成功

表面弾性波励起による温度上昇。(上)表面弾性波を励起する前(左)と励起中(右)の温度の分布。薄膜の領域における温度変化がほぼないことがわかった。(下)薄膜領域の平均温度を、表面弾性波を励起する交流信号の強さに対してプロットしたグラフ。交流信号の強さを強くしても、温度がほぼ変わらなかった (出所：東京大学WEBサイト)

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