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導電性高分子、半導体と金属の境で熱電変換性能が最大にフレキシブルなIoT電源に道

電解質ゲート法による電荷注入の模式図。正負の可動イオンを含む電解質を高分子薄膜上に滴下し、ゲート電圧(Vg)によってイオンを高分子膜内まで駆動し、高分子に電子（正孔）を送り込む。S、D、Gは電極を表す。（名古屋大学提供）

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