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imec、3nm未満におけるインタコネクトを実現するための技術検討を実施

左がサブトラクトエッチングによって形成されたRu配線の厚さをパラメータとしたCD測定値と抵抗率の関係。アスペクト比3～5、CD 12nm以上なら抵抗の目標値を達成している。右が埋め込みRuレールの断面積と抵抗率の関係。高温アニールにより抵抗率が低減している (出所:imec)

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