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レポート

3nm未満のプロセスをどう実現するのか? imecが語った研究戦略

図8 アクセス時間(秒)を縦軸、メモリ容量(ビット)を横軸にとって、さまざまな半導体メモリを位置付けたもの(STT-MRAMはSpin-Transfer-Torque Magnetic RAMの略。SOT-MRAMはSpin-Orbit-Torque Magnetix RAMの略。SGTはSurrounding Gate Transistorの略。ReRAMはResistive RAMの略)

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