ルネサス、スプリットゲート構造を採用したMOSFETの第1弾となる100V耐圧品を発売

ルネサス エレクトロニクスは1月8日、従来のスーパージャンクション構造でなく、新たに開発したスプリットゲート構造のプロセス(REXFET-1)を採用したNチャネルMOSFETとして、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」とTOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売したことを発表した。

同プロセスでは、従来プロセス(ANM2)採用製品(RBA250N10CHPF)と比較して、MOSFETがオンの状態で生じる抵抗であるオン抵抗を30％低減、ゲート総電荷量(Qg特性)を10％削減、ゲート・ドレイン間電荷量(Qgd特性)を40％削減するなど、電力損失の削減が可能になるという。