Tower Semiconductorは12月23日(イスラエル時間)、300mmウェハを用いた65nmプロセス、3.3Vベースの新たなBCDパワーマネジメントプラットフォーム「PML」を発表した。
同プラットフォームは、すでに日本で量産を開始し、米国ニューメキシコ州アルバカーキの製造拠点で認証中の5VベースBCDプロセスプラットフォームに続くものとなる。
低オン抵抗と高い性能指数を持つLDMOSデバイスで構成されており、高速スイッチングコンバータ用の高い電力変換効率を実現するという。
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Tower Semiconductorは12月23日(イスラエル時間)、300mmウェハを用いた65nmプロセス、3.3Vベースの新たなBCDパワーマネジメントプラットフォーム「PML」を発表した。
同プラットフォームは、すでに日本で量産を開始し、米国ニューメキシコ州アルバカーキの製造拠点で認証中の5VベースBCDプロセスプラットフォームに続くものとなる。
低オン抵抗と高い性能指数を持つLDMOSデバイスで構成されており、高速スイッチングコンバータ用の高い電力変換効率を実現するという。
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