Rapidus(ラピダス)は12月18日、同社が北海道千歳市で建設を進める最先端半導体の開発・生産拠点「IIM-1」に、蘭・ASML製のEUV露光装置「NXE:3800E」を搬入し、設置作業を開始したことを発表した。

またラピダスは同日これを記念して、新千歳空港ポルトムホールにて記念式典を開催。ラピダスの小池淳義代表取締役社長や、ASMLのジム・クーンメンEVP兼CCO(Chief Customer Officer)などが登壇し、IIM-1建設の現状や今回導入されたEUV装置の概要、および今後の展望について語られた。

  • 記念式典の様子

    新千歳空港ポルトムホームにて行われた記念式典の様子

国内初の量産対応EUV装置導入で先端半導体量産実現へ

EUVリソグラフィは、ラピダスが目指す2nm世代半導体の実現に向けて重要な技術のひとつとされており、特にリソグラフィ工程は、2nm世代のGAA(ゲートオールアラウンド)構造を形成する要となる工程だ。2nm以前の半導体製造プロセスにおいては、ArF(193nm)液浸露光技術が最先端とされていたが、2nm世代以降ではEUV(13.5nm)による短波長化が不可欠になるとされている。

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