Infineon Technologies(インフィニオン テクノロジーズ)は、AIサーバおよび通信における安全なホットスワップ動作に必要とされる堅牢なリニア動作モードと低オン抵抗を持つMOSFETとして、「OptiMOS 5 Linear FET 2」を発表した。

同製品は、トレンチMOSFETのオン抵抗と従来のプレーナー型MOSFETの広い安全動作領域(SOA)の間で理想的なトレードオフを実現するように設計されたMOSFETで、高い突入電流を制限して負荷の損傷を防ぎ、低いオン抵抗によって動作中の損失を最小限に抑えることが可能だという。また前世代の「OptiMOS Linear FET」と比べ、より高温でのSOAが向上し、ゲート漏れ電流を低減したことで、コントローラあたり並列接続可能なMOSFETの数を増やすことができ、部品(BOM)コストを削減できるという。

なお、同製品はすでに量産出荷を開始しており、100V製品はTOリードレス パッケージ(TOLL)で提供される。同製品は、同様のオン抵抗を持つ標準OptiMOS 5と比べて、54VでのSOAが10msで12倍、100μsでは3.5倍向上しており、特に100μsでの値は、短絡発生時にバッテリー管理システム(BMS)内で実行されるバッテリー保護動作にとって重要であるとのことで、こうした幅広いSOAと、改善された電流共有を考慮した場合、短絡電流要件によってコンポーネント数が決まる設計でのコンポーネント数を最大60％削減することができ、その結果として、さまざまなバッテリー搭載機器におけるバッテリー保護機能で高い電力密度、効率、信頼性を実現することができるようになるという。

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