東大など、AlN系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明

東京大学(東大)とNTTの両者は12月10日、窒化アルミニウム(AlN)系半導体を用いた「ショットキーバリアダイオード」(SBD)の電流輸送機構を解明したと共同で発表した。

• AlN系SBDの電気的特性の測定の様子(出所:NTT Webサイト)

同成果は、東大大学院 工学系研究科 電気系工学専攻の前田拓也講師、同・若本裕介大学院生、同・棟方晟啓大学院生、東大 工学部 電気電子工学科の佐々木一晴学部生、NTT 物性科学基礎研究所の廣木正伸主任研究員、同・平間一行グループリーダー、同・熊倉一英所長(研究当時)、同・谷保芳孝上席特別研究員らの共同研究チームによるもの。詳細は、12月7～11日に米・サンフランシスコで開催のIEEE主催の半導体および電子デバイスに関する世界最大の国際会議「70th IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2024)」において、初日に論文が公開された(口頭発表は最終日の予定)。